因為專業
所以領先

硅光技術利用成熟的半導體工藝,在硅芯片上集成光波導、調制器等元件,實現高速、低功耗的光互連。其生產工藝融合了微電子和光子學技術,產業正處于從技術驗證邁向大規模商用的關鍵階段。
下面的流程圖清晰地展示了硅光芯片從設計到交付的核心生產環節:


硅光子技術是指在硅基襯底材料上,利用互補金屬氧化物半導體(CMOS)工藝進行光電子器件開發及集成的新一代技術。其核心是融合光子與電子技術,在單一芯片上實現光信號的產生、調制、傳輸與探測,旨在突破傳統光電器件在速率、功耗、體積和成本上的瓶頸。
技術原理:通過CMOS工藝在絕緣體上硅(SOI)晶片制造光子集成電路,采用玻璃介質構建光波導通路取代銅導線。激光器與調制器集成實現電光信號轉換,單顆外置激光器可驅動4個100G通路,支持1.6T高速傳輸。該技術結合光子學的低功耗特性與硅基工藝的低成本優勢,可降低光模塊功耗40%以上。
硅光芯片的制作工藝是一個精密的多步驟過程,主要包括以下環節:
采用單晶硅片作為基片
進行切割、拋光和清洗等處理,獲得高質量的硅基片
通常使用SOI(絕緣體上硅)晶圓,由襯底硅、氧化硅和頂層硅三層構成
將光刻膠涂覆在硅基片表面
使用掩模板和紫外光照射,通過顯影和腐蝕等步驟,將圖案轉移到硅基片表面
這是制作硅光芯片中各種器件的關鍵步驟,決定了器件的尺寸和形狀
在硅基片表面注入特定的離子,改變硅基片的電學性質
形成P型和N型摻雜區域,實現硅光芯片中的PN結和場效應晶體管等器件
利用化學溶液或等離子腐蝕等方法,去除不需要的硅材料
形成所需的器件結構
將金屬材料沉積在硅基片表面,用于制作電極和金屬線等器件
工藝方法包括物理氣相沉積、化學氣相沉積或電鍍等
將硅光芯片封裝在封裝盒中,保護芯片不受外界環境影響
連接外部引線,實現芯片與外部電路的連接
硅光光模塊的封裝成本占自身總成本的90%,是當前技術痛點
工藝特點:硅光工藝與CMOS工藝高度兼容,可復用成熟的半導體產業鏈,不需要追求個位數納米制程,通常使用百納米級工藝即可滿足需求,降低了工藝復雜度和成本。
材料與設備:高質量SOI晶圓、光子設計工具
激光器芯片:源杰科技、仕佳光子等已實現突破
設計:硅光芯片設計
制造:與臺積電、格芯等Foundry合作
封裝:因精度要求高,是決定良率與成本的關鍵環節
光模塊:中際旭創、新易盛、光迅科技等企業
應用領域:數據中心、AI計算、光通信、激光雷達、生物傳感等
英特爾:2010年實現首個硅光芯片突破,2023年推出集成58萬光子元件的實驗性芯片
臺積電:聯合英偉達開發7nm硅光子制程,計劃2025年量產1.6T CPO產品
國際巨頭:英特爾憑借垂直整合能力和先發優勢在出貨量和生態構建上持續領先;思科通過收購Acacia等在相干通信和系統整合方面占據高地
產業基礎:中國已初步構建產業鏈,華為、中興等企業參與研發
關鍵短板:關鍵器件仍依賴進口
企業進展:
中際旭創:2025Q3實現歸母凈利潤31.37億元,同比增長124.98%,其1.6T光模塊通過英偉達認證
新易盛:同期歸母凈利潤達23.85億元,同比增長205.38%,通過收購Alpine強化硅光芯片自研能力
政策支持:《廣東省加快推動光芯片產業創新發展行動方案(2024—2030年)》將"硅光"列為發展核心;《電子信息制造業2025-2026年穩增長行動方案》直接提出攻關"高速光芯片"、"光電共封(CPO)"等硅光具體技術
市場規模:預計2032年達194億美元
滲透率:硅光在800G模塊占比35%-40%,1.6T模塊中占比80%
2025年:硅光模塊市場規模將超60億美元,年增長率超40%
2030年:全球硅光市場規模預計將達到78.6億美元,年復合增長率25.7%

調制瓶頸:傳統方案在800G以上速率面臨線性度衰減,需引入鈮酸鋰薄膜材料提升性能
封裝復雜度:光子器件多自由度對準精度需達亞微米級,耦合損耗影響量產良率
熱管理:光電混合集成導致局部熱密度顯著提升,需開發微流道散熱方案
標準化缺失:器件接口與測試規范尚未統一,制約產業化進程
第一階段:CPO封裝縮短電傳輸路徑(2025年前)
第二階段:實現芯片間全光互連(2030年前)
第三階段:構建全光計算網絡(2035年后)
更高速率:當前400G方案已基本成熟,800G已批量出貨,1.6T已量產,3.2T已有產品問世
更高集成度:當前混合集成為主流方案,未來單片集成有望商用
光電共封裝:CPO方案有望拉動硅光滲透率提高
更廣闊的應用領域:除數通市場外,硅光有望在光計算、光存儲、電信市場、醫療診斷、汽車、航空及工業領域傳感應用發揮重要作用
與CPO技術深度融合:通過混合鍵合、3D堆疊等工藝提升帶寬密度
薄膜鈮酸鋰與硅基異質集成:提升調制性能
3D光電合封技術:解決封裝復雜度問題
數據中心:400ZR標準光模塊采用硅光方案,在數據中心等場景滲透率持續提升
AI計算:英偉達GB300芯片組通過光子引擎實現GPU集群間800Gbps互連
光通信:占據全球光收發器市場30%份額(2027年預測)
先進封裝:臺積電CoWoS技術集成硅光子與3D堆疊封裝,縮短電氣鏈路至5mm以內
衛星互聯網:硅光技術作為戰略性產業的一部分
激光雷達:用于自動駕駛、工業自動化等領域,使固態LiDAR體積縮小至硬幣大小
光計算:光計算具有天然的并行處理能力和超低延遲特性,特別適合矩陣運算等AI核心算法
生物傳感:制作高靈敏度的生物傳感器,推動便攜式醫療診斷設備發展
硅光技術作為支撐下一代數據中心、5G/6G及人工智能基礎設施的核心使能技術,正迎來快速發展期。隨著AI算力爆發催生超高速互連剛需,硅光技術憑借其高集成度、低成本、低功耗等優勢,已成為光模塊行業降本增效的關鍵突破點。
中國硅光產業雖已初步構建產業鏈,但高端芯片仍需突破。在"十四五"政策支持下,中國硅光產業正從模塊集成端向芯片設計、高端制造等產業鏈上游攀升,有望在2025-2030年間實現從"可選項"到"必選項"的轉變,成為推動數字經濟高質量發展的重要引擎。
隨著2026-2027年CPO在超算中心規模化應用的臨近,硅光模塊成本將低于傳統方案30%,硅光技術將在AI算力集群、新型智算中心等場景發揮更加關鍵的作用,為全球數據中心的高效、綠色運行提供核心支撐。
水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣,通電后發生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。
合明科技研發的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
合明科技運用自身原創的產品技術,滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術要求,打破國外廠商在行業中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國產自主提供強有力的支持。
推薦使用合明科技水基清洗劑產品。
合明科技致力于為SMT電子表面貼裝清洗、功率電子器件清洗及先進封裝清洗提供高品質、高技術、高價值的產品和服務。合明科技 (13691709838)Unibright 是一家集研發、生產、銷售為一體的國家高新技術、專精特新企業,具有二十多年的水基清洗工藝解決方案服務經驗,掌握電子制程環保水基清洗核心技術。水基技術產品覆蓋從半導體芯片封測到 PCBA 組件終端的清洗應用。是IPC-CH-65B CN《清洗指導》標準的單位。合明科技全系列產品均為自主研發,具有深厚的技術開發能力,擁有五十多項知識產權、專利,是國內為數不多擁有完整的電子制程清洗產品鏈的公司。合明科技致力成為芯片、電子精密清洗劑的領先者。以國內自有品牌,以完善的服務體系,高效的經營管理機制、雄厚的技術研發實力和產品價格優勢,為國內企業、機構提供更好的技術服務和更優質的產品。合明科技的定位不僅是精湛技術產品的提供商,另外更具價值的是能為客戶提供可行的材料、工藝、設備綜合解決方案,為客戶解決各類高端精密電子、芯片封裝制程清洗中的難題,理順工藝,提高良率,成為客戶可靠的幫手。
合明科技憑借精湛的產品技術水平受邀成為國際電子工業連接協會技術組主席單位,編寫全球首部中文版《清洗指導》IPC標準(標準編號:IPC-CH-65B CN)(“Guidelines for Cleaning of Printed Boards and Assemblies”),IPC標準是全球電子行業優先選用標準,是集成電路材料產業技術創新聯盟會員成員。
主營產品包括:集成電路與先進封裝清洗材料、電子焊接助焊劑、電子環保清洗設備、電子輔料等。
半導體技術應用節點:FlipChip ;2D/2.5D/3D堆疊集成;COB綁定前清洗;晶圓級封裝;高密度SIP焊后清洗;功率電子清洗。