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復旦大學研發的全球首顆二維-硅基混合架構閃存芯片,是近期半導體存儲領域一項引人注目的突破。下面我為你梳理其發展歷程,并分析核心應用市場。

這項技術突破并非一蹴而就,其核心在于將二維材料的超快存儲特性,與成熟的硅基CMOS工藝相結合。下表梳理了其從底層原理突破到工程化實現的關鍵節點。
| 時間節點 | 關鍵事件與突破 | 核心意義 |
| 2018年至今 | 團隊深耕閃存"提速"難題,從底層物理出發構建新理論框架。 | 為后續突破奠定了理論基礎。 |
| 2024年 | 在《自然·電子學》發表集成工作,在理想襯底上實現二維良率突破。 | 為在復雜CMOS襯底上集成提供了基礎。 |
| 2025年4月 | 發布"破曉"二維閃存原型器件,實現400皮秒超高速非易失存儲,比傳統閃存快100萬倍。 | 從原理上證明了二維閃存的極致速度,是底層的突破。 |
| 2025年10月 | 發布"長纓"架構,成功研發出全球首顆二維-硅基混合架構閃存芯片,集成良率高達94.3%。 | 解決了工程化難題,實現了從實驗室器件到功能芯片的跨越。 |
其中的工程化挑戰主要在于:二維材料僅1-3個原子厚度,如同"蟬翼"般脆弱,而CMOS電路表面高低起伏如"微縮城市"。直接將二維材料鋪上去會導致破裂。
研究團隊另辟蹊徑,放棄了改造CMOS生產線的思路,轉而采用 "模塊化集成"方案:
這項技術有望重塑存儲芯片格局,其核心應用市場主要面向對數據存取速度和功耗有極致要求的領域:
人工智能與大數據:AI大模型運行需要存儲單元每秒進行上億次操作,當前系統的瓶頸已從算力轉向數據存儲速度。該技術有望打破"存儲墻",為AI提供更高速、低能耗的數據支撐。
更廣泛的電子設備:未來,該技術有望融入個人電腦、移動終端等設備,甚至可能讓高性能的AI服務器部署在手機端成為現實,徹底改變現有的分級存儲架構。
根據研究團隊的規劃,這項技術預計3到5年內將芯片容量提升至百萬級(Mb級別),此后將交由產業界進行大規模商業化推廣。
其巨大的市場潛力在于:它瞄準的是每年規模高達600億美元的非易失性存儲器市場,其中閃存芯片占據主導地位。這項技術有望為這個成熟的市場帶來變革性的新選擇。
希望以上信息能幫助你全面了解這項新技術。
水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣,通電后發生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。
合明科技研發的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
合明科技運用自身原創的產品技術,滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術要求,打破國外廠商在行業中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國產自主提供強有力的支持。
推薦使用合明科技水基清洗劑產品。
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合明科技憑借精湛的產品技術水平受邀成為國際電子工業連接協會技術組主席單位,編寫全球首部中文版《清洗指導》IPC標準(標準編號:IPC-CH-65B CN)(“Guidelines for Cleaning of Printed Boards and Assemblies”),IPC標準是全球電子行業優先選用標準,是集成電路材料產業技術創新聯盟會員成員。
主營產品包括:集成電路與先進封裝清洗材料、電子焊接助焊劑、電子環保清洗設備、電子輔料等。
半導體技術應用節點:FlipChip ;2D/2.5D/3D堆疊集成;COB綁定前清洗;晶圓級封裝;高密度SIP焊后清洗;功率電子清洗。