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所以領先
在先進封裝領域,混合工藝主要是指混合鍵合技術。它正成為突破芯片性能瓶頸、實現三維集成的關鍵,尤其在高帶寬內存和人工智能芯片中扮演著核心角色。

下面這個表格梳理了混合鍵合的主要類型及其核心市場應用,可以幫助你快速建立整體認知。
| 工藝類型 | 核心特點 | 主要優勢 | 典型市場應用 |
| 晶圓對晶圓 (W2W) | 兩片已完成電路制造的整片晶圓直接鍵合 | 工藝效率高,對準精度和吞吐量佳 | - CMOS圖像傳感器:索尼、三星等用于高端手機攝像頭,將像素層與邏輯層堆疊。 |
| - 3D NAND閃存:鎧俠、西部數據等用于超高層數存儲芯片的堆疊。 | |||
| 芯片對晶圓 (D2W) | 將預先切割、測試好的芯片(Die)鍵合到基礎晶圓上 | 靈活性高,支持異構集成,可避免整片晶圓良率損失 | - HBM高帶寬內存:SK海力士、三星、美光計劃用于HBM4/5,實現16層以上堆疊。 |
| - AI處理器與Chiplet:臺積電SoIC平臺為AMD 3D V-Cache等產品提供支持;博通、英偉達等用于高算力芯片。 |

簡單來說,混合鍵合是一種顛覆性的互聯技術。它去除了傳統的錫球或銅柱凸塊,讓芯片通過銅-銅直接鍵合和介質-介質鍵合永久地連接在一起。這帶來了幾大核心優勢:
混合鍵合的市場驅動力非常明確,主要來自人工智能、高性能計算和數據中心對算力與帶寬的極致追求。
HBM:混合鍵合的主戰場
隨著AI模型對內存帶寬要求越來越高,HBM的堆疊層數需要從當前的12層向16層甚至20層以上發展。傳統的熱壓鍵合技術面臨瓶頸,而混合鍵合能將層間間距壓縮至接近為零,是突破堆疊高度和散熱限制的必然選擇。預計2026年后,混合鍵合將在HBM5等新一代產品中大規模應用。
AI處理器與Chiplet:實現高性能異構計算
對于CPU、GPU等大型芯片,混合鍵合是實現3D堆疊和Chiplet架構的核心。例如,AMD 通過臺積電的SoIC技術,將額外的緩存芯片堆疊在處理器上方,顯著提升了性能。博通 的3.5D封裝平臺也利用混合鍵合實現了極高的信號密度。這為未來更復雜的異構集成提供了可能。
展望未來,混合鍵合技術將繼續向更小的互聯間距演進,并進一步拓展到智能汽車、微顯示器等新興領域。根據預測,到2030年,全球混合鍵合設備市場規模有望達到13億美元,年復合增長率保持在30%左右,顯示出巨大的市場潛力。
當然,這項技術也面臨著挑戰,主要是設備精度要求極高、初期投資成本巨大。但隨著更多廠商投入和技術逐漸成熟,成本有望下降,應用范圍將進一步擴大。
水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣,通電后發生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。
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