傳統和先進封裝的半導體封裝生產線工藝流程存在明顯區別，以下為你詳細介紹：

傳統封裝工藝流程

傳統封裝概念從最初的三極管直插時期后開始產生，其過程主要如下 ：

1. 切割晶粒：將晶圓切割為晶粒（Die）。

2. 晶粒貼合：使晶粒貼合到相應的基板架的小島（Leadframe Pad）上。

3. 導線連接：利用導線將晶片的接合焊盤與基板的引腳相連（Wire Bond），實現連接。

4. 外殼保護：用外殼加以保護（Mold，或 Encapsulation），典型封裝方式有 DIP、SOP、TSOP、QFP 等。

先進封裝工藝流程

先進封裝主要包括倒裝類（Flip Chip，Bumping），晶圓級封裝（WLCSP，FOWLP，PLP），2.5D 封裝（Interposer）和 3D 封裝（TSV）等。以倒裝芯片（Flip Chip）和晶圓級封裝為例，其工藝流程如下 ：

• 倒裝芯片（Flip Chip）

1. UBM 觸墊制造：當芯片制作工序完成后，制造 UBM（Under bump metallization）觸墊，用于實現芯片和電路的連接。

2. 焊料凸點淀積：將焊料凸點（Bumping）淀積于觸點之上，焊錫球（Solder ball）是最常見的 Bumping 材料，也可根據不同需求選擇金、銀、銅、鈷等，對于高密度的互聯及細間距的應用，銅柱是一種新型材料。

3. 芯片倒裝互聯：將芯片有源區面對著基板，通過芯片上呈陣列排列的焊料凸點實現芯片與襯底的互聯，硅片直接以倒扣方式安裝到從硅片向四周引出 I/O。

• 晶圓級封裝：產品生產以圓片形式批量生產，可以利用現有的晶圓制備設備，封裝設計可以與芯片設計一次進行，縮短設計和生產周期，降低成本。

兩者區別總結

• 連接方式：傳統封裝采用導線鍵合（Wire Bond）方式實現晶粒與基板引腳的連接；而先進封裝的倒裝芯片（Flip Chip）則是通過芯片上的焊料凸點實現芯片與襯底的互聯，互聯長度大大縮短 。

• 生產形式：傳統封裝是將晶圓切割成單個晶粒后再進行后續封裝步驟；晶圓級封裝這類先進封裝技術則是以圓片形式批量生產，可與芯片設計同步進行，提高了設計和生產效率 。

• 技術復雜度：先進封裝技術更為復雜和多樣化，除了倒裝芯片和晶圓級封裝，還包括 2.5D 封裝、3D 封裝等，這些技術旨在實現更高密度的集成和更好的性能；傳統封裝技術相對較為基礎和常規 。

芯片封裝清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

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