因?yàn)閷I(yè)
所以領(lǐng)先
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    晶圓制造中的大馬士革工藝(又稱鑲嵌工藝)與鋁制程工藝在材料選擇、工藝流程和技術(shù)特性上存在顯著差異。二者的核心區(qū)別源于銅與鋁的材料特性差異以及由此衍生的制造方法革新。以下是系統(tǒng)性對比分析:

鋁制程工藝:
采用鋁(Al)作為互連材料,其電阻率較高(約2.65μΩ·cm),在先進(jìn)制程中面臨以下瓶頸:
電遷移效應(yīng):高電流密度下鋁原子易遷移,導(dǎo)致導(dǎo)線斷裂或短路。
RC延遲增加:隨著線寬縮小至0.18μm以下,鋁的電阻率限制信號(hào)傳輸速度。
大馬士革工藝:
以銅(Cu)為核心材料,電阻率更低(約1.67μΩ·cm),優(yōu)勢包括:
電導(dǎo)率提升40%,顯著降低互連層電阻和功耗。
抗電遷移能力增強(qiáng),可靠性提高10-100倍。
?? 關(guān)鍵突破:銅無法通過干法刻蝕(因缺乏易揮發(fā)的副產(chǎn)物),因此催生了“先鑲嵌后拋光”的逆向工藝。
沉積鋁層:在整個(gè)晶圓表面沉積鋁薄膜。
光刻與刻蝕:通過光刻定義圖形,干法刻蝕去除多余鋁,形成導(dǎo)線。
介質(zhì)填充:沉積二氧化硅(SiO?)等介質(zhì)層并拋光。
介質(zhì)層刻蝕:先在低k介質(zhì)層上刻蝕出導(dǎo)線溝槽和通孔(Dual Damascene技術(shù))。
阻擋層與種子層:沉積鉭/氮化鉭(Ta/TaN)阻擋層防止銅擴(kuò)散,再鍍銅種子層。
電鍍銅與拋光:電鍍填充銅,最后用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)去除多余銅,實(shí)現(xiàn)平坦化。
?? 難點(diǎn):銅易擴(kuò)散至硅中,必須依賴阻擋層隔離;低k介質(zhì)(如摻氟SiO?)需協(xié)同降低寄生電容。
鋁制程的局限:
僅適用于0.18μm以上制程,難以滿足28nm以下節(jié)點(diǎn)需求。
多層布線復(fù)雜度高,良率受限。
大馬士革工藝的優(yōu)勢:
兼容先進(jìn)制程:支持28nm至3nm節(jié)點(diǎn),通過雙重鑲嵌(Dual Damascene)實(shí)現(xiàn)高密度互連。
3D集成基礎(chǔ):為2.5D/3D封裝(如混合鍵合)提供微米級布線精度。
效率提升:通孔與溝槽同步刻蝕減少工序(如自對準(zhǔn)技術(shù))。

鋁制程:基本退出先進(jìn)邏輯芯片制造,僅用于部分存儲(chǔ)器或模擬器件。
大馬士革工藝:成為7nm以下制程主流,并向鈷/釕等新材料拓展以進(jìn)一步提升性能。
協(xié)同創(chuàng)新:與極高深寬比刻蝕(60:1)結(jié)合,推動(dòng)3D NAND堆疊層數(shù)突破200層。
大馬士革工藝以材料革命(銅替代鋁) 和流程顛覆(鑲嵌式制造) 解決了傳統(tǒng)鋁互連的物理瓶頸,成為先進(jìn)制程的基石。其核心價(jià)值在于:
? 通過銅的高導(dǎo)電性降低功耗;
? 利用CMP實(shí)現(xiàn)納米級平坦化;
? 支撐低k介質(zhì)集成以抑制寄生效應(yīng)。
未來,隨著鈷、釕等新型互連材料的探索,大馬士革工藝將繼續(xù)引領(lǐng)半導(dǎo)體微縮進(jìn)程。
合明科技芯片清洗劑選擇:
水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會(huì)作為一個(gè)長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。
合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。
推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。
 
                         
                         
                         
                        