一、國產(chǎn)存儲半導體市場現(xiàn)狀

（一）定義與分類

半導體存儲器一般指半導體集成存儲器，是用半導體集成電路工藝制成的存儲數(shù)據(jù)信息的固態(tài)電子器件。由大量相同的存儲單元和輸入、輸出電路等構(gòu)成。按功能的不同，可分為隨機存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)和串行存儲器三大類。其中RAM又可分為靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存儲器(DRAM)；ROM也有多種類型，如可編程只讀存儲器(PROM)等。而根據(jù)斷電后信息是否保留，存儲器還分為易失性(VM)存儲器與非易失性(NVM)存儲器。易失性存儲器如DRAM和SRAM，斷電后無法保留數(shù)據(jù)，非易失性存儲器如NANDFlash和NORFlash，斷電后仍能保留數(shù)據(jù)。

（二）市場規(guī)模

近年來中國半導體存儲芯片市場規(guī)模整體呈增長趨勢，2018年達到近年峰值為5775億元，2021年中國半導體存儲器市場規(guī)模為5494億元，同比上升7.16%，預計2022年將達到近3000億元。中國作為全球電子產(chǎn)品的制造基地，一直以來都是存儲器產(chǎn)品最大的需求市場，2024年中國大陸地區(qū)的半導體存儲器市場規(guī)模為2843億元（約400億美元）。

（三）應用領域

1. 智能手機和平板電腦市場

• 在移動通信技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新、移動互聯(lián)網(wǎng)加速普及的背景下，智能手機和平板電腦行業(yè)是半導體存儲器行業(yè)下游最重要的細分市場之一。雖然近幾年中國智能手機行業(yè)出貨量整體不斷下降，但隨著5G換新及居民消費水平的提升，中國智能手機行業(yè)將從增量向存量方向發(fā)展，對半導體存儲器的需求長期存在。2021年中國智能手機出貨量為3.43億臺，同比增長3.94%，市場出現(xiàn)回暖。同時，5G通信技術(shù)的發(fā)展極大提高了信息傳輸?shù)乃俾剩矌恿诵畔⒋鎯θ萘康臄U增，未來5G手機的平均存儲容量將進一步提升。2021年，中國平板電腦出貨量達到0.28億臺。

2. 可穿戴設備市場

• 智能可穿戴設備是綜合運用各類識別、傳感、數(shù)據(jù)存儲等技術(shù)實現(xiàn)用戶交互、生活娛樂、人體監(jiān)測等功能的智能設備，半導體存儲器是其重要組成部分，很大程度上影響穿戴設備的性能、尺寸和續(xù)航能力。隨著智能可穿戴設備行業(yè)在各垂直領域應用程度的加深，行業(yè)持續(xù)擴容，對存儲器的需求也顯著增長。2021年，中國可穿戴市場出貨量近1.4億臺，同比增長25.4%。

3. 智能汽車市場

• 隨著智能化程度的不斷加深、國家政策扶持力度的不斷加大以及相關技術(shù)的日趨成熟，汽車正逐步完成由交通工具到移動終端的轉(zhuǎn)變，給存儲行業(yè)帶來新的市場機遇。2020年，中國智能網(wǎng)聯(lián)汽車數(shù)量超千萬輛，約為1306萬輛，產(chǎn)業(yè)正處于加速發(fā)展階段。

4. 其他領域

• 在中國互聯(lián)網(wǎng) +、大力發(fā)展新一代信息技術(shù)和不斷加強先進制造業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略指引下，國內(nèi)信息化、數(shù)字化、智能化進程加快，用戶側(cè)的視頻、監(jiān)控、數(shù)字電視、社交網(wǎng)絡等應用和制造側(cè)的工業(yè)智能化逐漸普及，刺激存儲芯片的市場需求快速增長。此外，5G、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心等新一代信息技術(shù)在中國大規(guī)模開發(fā)及應用，也催生了我國對半導體存儲器的強勁需求。

（四）產(chǎn)業(yè)鏈情況

1. 設計環(huán)節(jié)

• 國內(nèi)有一些企業(yè)在存儲芯片設計方面取得了進展，例如東芯股份是大陸領先的存儲芯片設計公司，聚焦于中小容量存儲芯片的研發(fā)、設計和銷售，是大陸少數(shù)可以同時提供NAND、NOR、DRAM等主要存儲芯片完整解決方案的公司。

2. 制造環(huán)節(jié)

• 長江存儲、合肥長鑫等是國內(nèi)在存儲芯片制造方面較有代表性的企業(yè)。長江存儲在3DNAND技術(shù)方面取得了重要突破，合肥長鑫在DRAM技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)上也在不斷努力追趕國際先進水平。

3. 封測環(huán)節(jié)

• 在半導體存儲器的封測環(huán)節(jié)，國內(nèi)也有企業(yè)參與。并且在整個產(chǎn)業(yè)鏈中，模組的生產(chǎn)也是必要環(huán)節(jié)，例如在DRAM模組方面，國外的Kingston占據(jù)了絕對統(tǒng)治地位；NAND方面，三星在閃存顆粒上優(yōu)勢明顯，市占率領先，但我國的江波龍也有一定份額。此外，閃存盤離不開控制器的輔助，第三方廠商如群聯(lián)、慧榮、Marvell都有著穩(wěn)固的市場地位，我國的江波龍也在其中有一定的市場份額。

二、國產(chǎn)存儲半導體未來發(fā)展趨勢

（一）技術(shù)發(fā)展趨勢

1. 制程工藝改進

• 在主流的存儲芯片技術(shù)方面，DRAM的技術(shù)發(fā)展路徑是以微縮制程來提高存儲密度。不過制程工藝進入20nm之后，制造難度大幅提升，DRAM芯片廠商對工藝的定義從具體的線寬轉(zhuǎn)變?yōu)樵诰唧w制程范圍內(nèi)提升二或三代技術(shù)來提高存儲密度。而中國DRAM技術(shù)比較落后，目前還停留在1xnm制程。NAND芯片制程已經(jīng)達到極限，技術(shù)趨勢從2D轉(zhuǎn)向3D，通過增加芯片堆疊層數(shù)獲得更大容量。目前，三星、海力士、美光的3DNAND技術(shù)均已達到128L，長江存儲僅達到64L，國內(nèi)企業(yè)在這方面還有很大的追趕空間。

2. 新型存儲介質(zhì)探索

• 新型存儲介質(zhì)結(jié)合了DRAM內(nèi)存的高速存取，以及NAND閃存在關閉電源之后保留數(shù)據(jù)的特性，可以打破內(nèi)存和閃存的界限，使其合二為一，同時，新型存儲介質(zhì)功耗更低，壽命更長，速度更快，被業(yè)界視為未來閃存和內(nèi)存的替代品。但新型存儲介質(zhì)產(chǎn)業(yè)尚未成熟，相對于傳統(tǒng)的DRAM芯片和NAND芯片，新型存儲介質(zhì)的產(chǎn)品路線不夠明朗，技術(shù)路線尚不明確，新型存儲介質(zhì)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展機遇與挑戰(zhàn)并存。

• 
  

（二）應用拓展趨勢

1. 新興技術(shù)帶動

• 隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、5G等新興技術(shù)的不斷發(fā)展，對數(shù)據(jù)存儲的需求將不斷增加，并且對存儲的速度、容量、安全性等方面都提出了更高的要求。例如在數(shù)據(jù)中心領域，隨著數(shù)據(jù)量的爆炸式增長，需要大量的存儲半導體來存儲數(shù)據(jù)；在物聯(lián)網(wǎng)領域，眾多的物聯(lián)網(wǎng)設備也需要存儲芯片來存儲設備運行數(shù)據(jù)、用戶數(shù)據(jù)等。

2. 消費電子升級

• 在消費電子領域，如智能手機和平板電腦，隨著功能的不斷增加，如高清視頻拍攝、大型游戲運行等，需要更大的存儲容量和更快的存儲速度。可穿戴設備的功能也在不斷拓展，如健康監(jiān)測數(shù)據(jù)的長期存儲和分析等，這都將推動存儲半導體在消費電子領域的進一步應用。

3. 汽車電子發(fā)展

• 汽車向智能化、電動化、網(wǎng)聯(lián)化方向發(fā)展，汽車電子系統(tǒng)變得越來越復雜，需要存儲半導體來存儲車輛的運行數(shù)據(jù)、地圖數(shù)據(jù)、自動駕駛相關數(shù)據(jù)等。例如高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）需要存儲大量的傳感器數(shù)據(jù)用于實時分析，智能座艙系統(tǒng)也需要存儲用戶的偏好設置、娛樂內(nèi)容等數(shù)據(jù)。

（三）產(chǎn)業(yè)整合趨勢

1. 企業(yè)并購與合作增加

• 在國內(nèi)存儲半導體產(chǎn)業(yè)中，為了提升技術(shù)水平、擴大市場份額、降低成本等目的，企業(yè)之間的并購與合作可能會增加。例如通過并購可以獲取對方的技術(shù)、人才、生產(chǎn)線等資源，實現(xiàn)優(yōu)勢互補。企業(yè)之間的合作可以包括技術(shù)研發(fā)合作、生產(chǎn)合作等，共同應對國際競爭壓力。

2. 產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同加強

• 存儲半導體產(chǎn)業(yè)鏈較長，從原材料供應到芯片設計、制造、封測，再到下游應用。未來上下游企業(yè)之間的協(xié)同合作將更加緊密。例如芯片設計企業(yè)與制造企業(yè)之間加強溝通，根據(jù)制造工藝的特點來優(yōu)化芯片設計，封測企業(yè)與芯片制造企業(yè)合作，提高封裝測試效率和質(zhì)量，同時下游應用企業(yè)也可以向上游企業(yè)反饋需求，促進存儲半導體產(chǎn)品更好地滿足市場需求。

三、國產(chǎn)存儲半導體市場競爭格局

（一）國內(nèi)企業(yè)競爭格局

1. 領先企業(yè)

• 長江存儲、合肥長鑫、兆易創(chuàng)新等是國內(nèi)存儲半導體領域的領先企業(yè)。長江存儲在3DNAND技術(shù)方面取得了重要突破，在國內(nèi)存儲芯片制造領域具有重要地位；合肥長鑫在DRAM技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)上不斷努力追趕國際先進水平；兆易創(chuàng)新在存儲芯片設計等方面有一定的優(yōu)勢，例如在NORFlash市場中有一定的布局。

2. 中小企業(yè)

• 除了這些領先企業(yè)，國內(nèi)還有眾多的中小企業(yè)參與存儲半導體市場。這些中小企業(yè)在細分領域或者特定應用場景下有一定的競爭力，例如在一些中低端存儲產(chǎn)品市場，或者針對特定行業(yè)客戶的定制化存儲解決方案方面，中小企業(yè)可以憑借靈活的經(jīng)營策略和成本優(yōu)勢來獲取市場份額。不過，中小企業(yè)在技術(shù)研發(fā)投入、規(guī)模生產(chǎn)等方面相對較弱，面臨較大的競爭壓力。

（二）國際競爭格局

1. 國際巨頭主導

• 在全球存儲半導體市場，國際巨頭占據(jù)主導地位。在DRAM市場中，三星、SK海力士和美光三大巨頭占據(jù)了超過90%的市場份額；在NANDFlash市場中，三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)和美光等企業(yè)占據(jù)主導地位，其中三星的市場份額最大。這些國際巨頭在技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)規(guī)模、市場渠道等方面具有巨大的優(yōu)勢，它們的技術(shù)創(chuàng)新往往引領著整個行業(yè)的發(fā)展方向，并且憑借大規(guī)模生產(chǎn)實現(xiàn)成本優(yōu)勢，在全球市場上占據(jù)高端市場份額，對國內(nèi)企業(yè)形成較大的競爭壓力。

2. 國內(nèi)企業(yè)追趕

• 雖然國內(nèi)企業(yè)目前在技術(shù)和市場份額等方面與國際巨頭存在差距，但近年來國內(nèi)企業(yè)不斷加大技術(shù)研發(fā)投入，在存儲技術(shù)方面取得了一些進展，如長江存儲的3DNAND技術(shù)突破等。同時，國內(nèi)企業(yè)也在利用國內(nèi)龐大的市場需求，通過本土化優(yōu)勢逐步擴大市場份額，在一些細分市場或者中低端市場逐漸建立起自己的競爭優(yōu)勢，不斷追趕國際先進水平。

（三）競爭焦點

1. 技術(shù)競爭

• 存儲半導體行業(yè)技術(shù)更新?lián)Q代快，技術(shù)水平?jīng)Q定了企業(yè)的產(chǎn)品競爭力。在技術(shù)競爭方面，主要集中在存儲芯片的制程工藝、存儲密度、讀寫速度、功耗等性能指標上。國際巨頭不斷投入大量資源進行技術(shù)研發(fā)，以保持領先地位，例如在3DNAND和DRAM技術(shù)上不斷突破。國內(nèi)企業(yè)也在努力提升自己的技術(shù)水平，如提高3DNAND的堆疊層數(shù)、改進DRAM的制程工藝等，以縮小與國際企業(yè)的差距。

2. 市場份額競爭

• 市場份額的大小直接關系到企業(yè)的盈利能力和行業(yè)地位。國際巨頭通過品牌優(yōu)勢、技術(shù)優(yōu)勢和全球銷售網(wǎng)絡等不斷鞏固和擴大市場份額。國內(nèi)企業(yè)則通過性價比優(yōu)勢、本土化服務等在國內(nèi)市場以及部分新興市場與國際企業(yè)展開競爭。例如在國內(nèi)的智能手機、物聯(lián)網(wǎng)設備等市場，國內(nèi)存儲半導體企業(yè)通過提供滿足客戶需求的產(chǎn)品，逐漸提高自己的市場份額。

四、影響國產(chǎn)存儲半導體市場前景的因素

（一）技術(shù)因素

1. 技術(shù)研發(fā)能力

• 存儲半導體行業(yè)技術(shù)含量高，研發(fā)能力是企業(yè)發(fā)展的關鍵。目前國際上在存儲芯片技術(shù)方面處于領先地位的企業(yè)，如三星、海力士等，它們每年投入大量資金用于研發(fā)。國內(nèi)企業(yè)雖然在技術(shù)上有所進步，但整體研發(fā)能力相對較弱，例如在DRAM的制程工藝和3DNAND的堆疊層數(shù)等方面與國際先進水平還有差距。如果國內(nèi)企業(yè)不能持續(xù)提升研發(fā)能力，將難以在技術(shù)競爭中取得優(yōu)勢，影響市場前景。

2. 技術(shù)創(chuàng)新速度

• 存儲半導體行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新速度快，新的存儲技術(shù)不斷涌現(xiàn)。如新型存儲介質(zhì)的研究，如果國內(nèi)企業(yè)不能及時跟上技術(shù)創(chuàng)新的步伐，就可能面臨產(chǎn)品被淘汰的風險。例如，當3DNAND技術(shù)逐漸成為主流時，如果企業(yè)還停留在2D NAND技術(shù)，就會失去市場競爭力，從而影響企業(yè)的生存和發(fā)展，進而影響整個國產(chǎn)存儲半導體市場的前景。

（二）市場因素

1. 市場需求規(guī)模

• 國內(nèi)存儲半導體市場需求規(guī)模龐大，這為國產(chǎn)存儲半導體企業(yè)提供了廣闊的發(fā)展空間。隨著中國互聯(lián)網(wǎng) +、新一代信息技術(shù)的發(fā)展，如5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等，眾多應用場景對存儲半導體的需求不斷增加。例如，數(shù)據(jù)中心的建設需要大量的存儲設備，智能手機和平板電腦等消費電子設備的存儲容量需求也在不斷提升。如果市場需求能夠持續(xù)增長，將有利于國產(chǎn)存儲半導體企業(yè)的發(fā)展，反之，如果市場需求萎縮，將對企業(yè)產(chǎn)生不利影響。

2. 市場競爭程度

• 如前面所述，存儲半導體市場競爭激烈，國際巨頭占據(jù)主導地位。國內(nèi)企業(yè)面臨著來自國際和國內(nèi)的競爭壓力。在國際競爭方面，國際企業(yè)憑借技術(shù)和規(guī)模優(yōu)勢擠壓國內(nèi)企業(yè)的市場空間；在國內(nèi)競爭方面，眾多國內(nèi)企業(yè)之間也存在競爭。如果國內(nèi)企業(yè)不能在競爭中脫穎而出，例如在技術(shù)、成本、服務等方面建立優(yōu)勢，就難以在市場中生存和發(fā)展，從而影響國產(chǎn)存儲半導體市場的前景。

（三）政策因素

1. 國家政策支持

• 集成電路產(chǎn)業(yè)是中國戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，近年來國家高度重視和大力支持集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2014年，國務院發(fā)布《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》，提出集成電路產(chǎn)業(yè)是支撐經(jīng)濟社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎性和先導性產(chǎn)業(yè)，并設立集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金。2020年，國務院發(fā)布《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》，從財稅、投融資、研究開發(fā)、進出口、人才、知識產(chǎn)權(quán)、市場應用、國際合作等八個方面制定集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策措施。這些政策對國產(chǎn)存儲半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到了積極的推動作用，例如通過資金支持企業(yè)進行技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能擴張等。

2. 貿(mào)易政策影響

• 在國際貿(mào)易環(huán)境下，貿(mào)易政策對存儲半導體產(chǎn)業(yè)也有重要影響。例如，近年來受到國際芯片制裁等因素影響，國內(nèi)企業(yè)面臨著技術(shù)封鎖和原材料供應受限等問題。但同時，這也促使國內(nèi)企業(yè)加大自主研發(fā)和國產(chǎn)替代的力度。如果貿(mào)易政策朝著有利于國內(nèi)企業(yè)的方向發(fā)展，如放寬技術(shù)出口限制、增加原材料供應渠道等，將有助于國產(chǎn)存儲半導體市場的發(fā)展；反之，如果貿(mào)易政策進一步收緊，將給國內(nèi)企業(yè)帶來更大的挑戰(zhàn)。

五、國產(chǎn)存儲半導體市場前景預測

（一）規(guī)模增長趨勢

1. 短期（1 - 2年）

• 從短期來看，隨著國內(nèi)5G、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的進一步普及，相關應用場景對存儲半導體的需求將繼續(xù)增加。例如，5G手機的出貨量不斷增長，其對存儲容量和速度的要求更高，將推動存儲半導體市場規(guī)模的增長。同時，國內(nèi)企業(yè)在技術(shù)研發(fā)方面的持續(xù)投入也將逐漸轉(zhuǎn)化為產(chǎn)品競爭力的提升，從而提高市場份額。預計在1 - 2年內(nèi)，中國半導體存儲器市場規(guī)模將保持一定的增長速度，可能達到年增長率5% - 10%左右。

2. 中期（3 - 5年）

• 在中期內(nèi)，隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、云計算等新興技術(shù)在國內(nèi)的大規(guī)模應用，數(shù)據(jù)存儲需求將呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。國內(nèi)存儲半導體企業(yè)如果能夠抓住機遇，在技術(shù)上取得進一步突破，如在3DNAND技術(shù)上提高堆疊層數(shù)、在DRAM制程工藝上縮小與國際企業(yè)的差距等，將能夠在國內(nèi)市場獲得更大的份額。同時，國內(nèi)企業(yè)也可能會逐步拓展海外市場。預計在3 - 5年內(nèi)，中國半導體存儲器市場規(guī)模可能會以10% - 15%的年增長率增長。

3. 長期（5年以上）

• 長期來看，隨著國內(nèi)存儲半導體產(chǎn)業(yè)的不斷成熟，技術(shù)水平不斷提高，產(chǎn)業(yè)整合不斷加強，國內(nèi)企業(yè)有望在全球存儲半導體市場中占據(jù)更重要的地位。如果國內(nèi)企業(yè)能夠在新型存儲介質(zhì)等前沿技術(shù)研究方面取得突破，將有可能改變?nèi)虼鎯Π雽w的市場格局。預計5年以上，中國半導體存儲器市場規(guī)模可能會以15%以上的年增長率持續(xù)增長，并且在全球市場中的份額也將不斷提高。

（二）技術(shù)突破前景

1. 存儲芯片技術(shù)

• 在存儲芯片技術(shù)方面，國內(nèi)企業(yè)有較大的突破潛力。雖然目前在DRAM和3DNAND技術(shù)上與國際企業(yè)存在差距，但隨著技術(shù)研發(fā)投入的增加和經(jīng)驗的積累，國內(nèi)企業(yè)有望逐步縮小差距。例如，長江存儲在3DNAND技術(shù)上已經(jīng)取得了一定的成績，未來有望繼續(xù)提高堆疊層數(shù)，提升存儲密度。在DRAM技術(shù)方面，合肥長鑫等企業(yè)也有可能在制程工藝上取得新的突破，提高產(chǎn)品的性能和競爭力。

2. 新型存儲介質(zhì)技術(shù)

• 新型存儲介質(zhì)技術(shù)被視為未來存儲半導體的發(fā)展方向。雖然目前新型存儲介質(zhì)產(chǎn)業(yè)尚未成熟，但國內(nèi)企業(yè)也在積極參與研究。如果國內(nèi)企業(yè)能夠在新型存儲介質(zhì)的產(chǎn)品路線和技術(shù)路線上取得突破，將有可能在全球存儲半導體市場中實現(xiàn)彎道超車。例如，率先研發(fā)出具有商業(yè)應用價值的新型存儲介質(zhì)產(chǎn)品，將能夠引領全球存儲半導體技術(shù)的發(fā)展方向，從而在全球市場競爭中占據(jù)有利地位。

（三）市場份額提升潛力

1. 國內(nèi)市場

• 在國內(nèi)市場，國產(chǎn)存儲半導體企業(yè)憑借本土化優(yōu)勢，如更貼近客戶需求、更快的服務響應速度等，有較大的市場份額提升潛力。隨著國內(nèi)企業(yè)技術(shù)水平的提高，產(chǎn)品性價比將進一步提升，在智能手機、物聯(lián)網(wǎng)設備、數(shù)據(jù)中心等市場中的份額有望逐步擴大。例如，在物聯(lián)網(wǎng)設備市場，由于國內(nèi)物聯(lián)網(wǎng)企業(yè)眾多，對存儲半導體的需求多樣化，國產(chǎn)存儲半導體企業(yè)可以通過定制化產(chǎn)品和服務來滿足客戶需求，從而提高市場份額。

2. 國際市場

半導體封裝清洗劑W3100介紹

半導體封裝清洗劑W3100是合明科技開發(fā)具有創(chuàng)新型的中性水基清洗劑，專門設計用于浸沒式的清洗工藝。適用于清洗去除半導體電子器件上的助焊劑殘留物，如引線框架、分立器件、功率模塊、倒裝芯片、攝像頭模組等。本品是PH中性的水基清洗劑，因此具有良好的材料兼容性。

半導體封裝清洗劑W3100的產(chǎn)品特點：

1、本品可以用去離子水稀釋后使用，稀釋后為均勻單相液，應用過程簡單方便。

2、產(chǎn)品PH值呈中性，對鋁、銅、鎳、塑料、標簽等敏感材料上顯示出極好的材料兼容性。

3、不含鹵素，材料環(huán)保；氣味清淡，使用液無閃點，使用安全，不需要額外的防爆措施。

4、由于PH中性，減輕污水處理難度。

半導體封裝清洗劑W3100的適用工藝：

水基清洗劑W3100適用于浸沒式的清洗工藝。

半導體封裝清洗劑W3100產(chǎn)品應用：

水基清洗劑W3100是合明科技開發(fā)具有創(chuàng)新型的中性水基清洗劑，適用于清洗去除半導體電子器件上的助焊劑殘留物，如引線框架清洗、分立器件清洗、功率模塊清洗、倒裝芯片清洗、攝像頭模組清洗等。本產(chǎn)品PH值呈中性，對鋁、銅、鎳、塑料、標簽等敏感材料上顯示出極好的材料兼容性。