因為專業(yè)
所以領(lǐng)先
近年來,中國在功率半導體封裝關(guān)鍵材料領(lǐng)域取得了一系列突破,正在從過去的被動跟隨轉(zhuǎn)向主動創(chuàng)新,通過產(chǎn)學研深度融合,在多個細分賽道實現(xiàn)了技術(shù)突破和規(guī)模化量產(chǎn),顯著提升了產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控能力。

下面這個表格,梳理了部分關(guān)鍵封裝材料的最新進展,你可以快速了解。
| 材料類型 | 技術(shù)/產(chǎn)品名稱 | 研發(fā)/生產(chǎn)機構(gòu) | 核心突破 | 應(yīng)用與意義 |
| 芯片粘結(jié)材料 | 納米銅膏 | 重慶平創(chuàng)半導體 | 以銅代銀,解決銅易氧化難題,成本降70%。 | 主要用于新能源汽車功率模塊,已批量交付;也應(yīng)用于光伏、低空飛行器等。 |
| 環(huán)氧灌封料 | 分子有序設(shè)計環(huán)氧灌封料 | 西安建筑科技大學 | 兼顧高導熱與高絕緣,200℃高溫下性能穩(wěn)定,熱導率提升2.7倍。 | 為功率器件在極端工況下提供全新解決方案,發(fā)表于頂級期刊,正推動工程應(yīng)用。 |
| 封裝基板材料 | DSBCB樹脂 | 湖北迪賽鴻鼎 | 超低介電損耗,性能優(yōu)于國際同類產(chǎn)品,打破美日壟斷。 | 用于5G/6G通信、AI服務(wù)器等高端芯片封裝,計劃于2025年11月千噸級投產(chǎn)。 |
| 先進封裝材料 | 碳化硅襯底 | 產(chǎn)業(yè)技術(shù)探索(如英偉達、臺積電) | 利用其超高導熱性(熱導率500W/mK),作為中介層或散熱載板。 | 解決AI GPU等高功率芯片的散熱瓶頸,為碳化硅材料開辟新的應(yīng)用空間。 |

功率封裝材料領(lǐng)域的集體突圍,背后是多重因素的共同推動,但前路依然充滿挑戰(zhàn)。
核心驅(qū)動力:
產(chǎn)業(yè)鏈安全需求:高端半導體封裝材料長期被美、德、日企業(yè)壟斷,國產(chǎn)化率不足10%。實現(xiàn)關(guān)鍵材料的自主可控,是保障中國芯片產(chǎn)業(yè)鏈安全的根本。
巨大的成本優(yōu)勢:國產(chǎn)材料一旦突破,往往能顯著降低下游成本。例如,納米銅膏的成本比進口燒結(jié)銀膏降低約70%。
新興產(chǎn)業(yè)的需求拉動:電動汽車、光伏、AI服務(wù)器等新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,對功率器件的性能和可靠性提出了極高要求,這為性能更優(yōu)、更具性價比的國產(chǎn)新材料提供了廣闊的驗證場和應(yīng)用空間。
政策與資本支持:從國家科研基金到地方政府的產(chǎn)業(yè)集聚政策,都為材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化提供了重要支撐。
面臨的挑戰(zhàn):
技術(shù)差距仍在:盡管在單點上實現(xiàn)突破,但在環(huán)氧塑封料(EMC) 等要求極高的領(lǐng)域,高性能產(chǎn)品的國產(chǎn)化率僅10-20%,先進封裝用的產(chǎn)品更是高度依賴進口。
產(chǎn)業(yè)生態(tài)的協(xié)同:材料突破只是第一步,需要下游封測和器件廠商的積極驗證和采用,形成“材料-封裝-應(yīng)用”的協(xié)同共生的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。
持續(xù)的創(chuàng)新能力:從單點突破到全面領(lǐng)先,需要持續(xù)的研發(fā)投入和迭代,以應(yīng)對下一代技術(shù)挑戰(zhàn)。
展望未來,功率封裝材料的發(fā)展路徑日益清晰:
性能極致化:追求更高導熱、更佳絕緣/介電性能、更優(yōu)耐熱性是永恒的主題。西安建大的“分子有序設(shè)計”代表了通過底層材料創(chuàng)新來提升性能的方向。
材料多元化:沒有一種材料能解決所有問題,未來將是多種材料路線并存。例如,納米銅膏針對芯片貼裝、新型環(huán)氧樹脂針對灌封、碳化硅可能用于高端散熱,形成多元化的材料解決方案矩陣。
加速國產(chǎn)替代:隨著產(chǎn)品在終端市場得到批量驗證,國產(chǎn)材料的認可度將不斷提升,從“可用”向“好用、必用”發(fā)展,實現(xiàn)從邊緣到主力的替代。報告預(yù)測,2025-2030年中國該行業(yè)將迎來新的發(fā)展期。
總體來看,中國功率半導體封裝關(guān)鍵材料正處于一個充滿希望的戰(zhàn)略機遇期。在納米銅膏、特種樹脂等細分領(lǐng)域,我們已經(jīng)看到了成功的突圍范式。雖然在高性能環(huán)氧塑封料等領(lǐng)域仍面臨挑戰(zhàn),但持續(xù)的研發(fā)投入、清晰的產(chǎn)業(yè)化路徑以及龐大的內(nèi)需市場,正共同推動中國功率封裝材料走出一條堅實的國產(chǎn)化替代與升級之路。
水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導,從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。
合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
合明科技運用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強有力的支持。
推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。
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合明科技憑借精湛的產(chǎn)品技術(shù)水平受邀成為國際電子工業(yè)連接協(xié)會技術(shù)組主席單位,編寫全球首部中文版《清洗指導》IPC標準(標準編號:IPC-CH-65B CN)(“Guidelines for Cleaning of Printed Boards and Assemblies”),IPC標準是全球電子行業(yè)優(yōu)先選用標準,是集成電路材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟會員成員。
主營產(chǎn)品包括:集成電路與先進封裝清洗材料、電子焊接助焊劑、電子環(huán)保清洗設(shè)備、電子輔料等。
半導體技術(shù)應(yīng)用節(jié)點:FlipChip ;2D/2.5D/3D堆疊集成;COB綁定前清洗;晶圓級封裝;高密度SIP焊后清洗;功率電子清洗。