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第三代半導體的簡述
現在主流的芯片是硅基芯片，在日常生活中應用的最為廣泛。
因為它發展的時間長、產業鏈成熟度高，成本較低，所以能夠大規模應用，在我們的手機里、電腦里......
然而，經過幾十年的發展，硅基芯片遇上了摩爾定律的“瓶頸”，發展的空間變得狹小了。
另外，受制于硅基材料的物理性能，硅基芯片在光伏、新能源汽車等新興產業領域的發展受阻。
正好恰逢其時，新能源產業的興盛崛起，第三代半導體嶄露頭角，大放光彩。
第三代半導體，是繼以硅基芯片為代表的第一代半導體和以砷化鎵為代表的第二代半導體之后，迅速發展起來的一種化合物半導體。
它的禁帶寬度（eV）寬、電子飽和漂移速度快、熱導率高，所以第三代半導體耐壓性高、高頻性能好、散熱快，在通信射頻和新能源領域具有明顯的優勢，硅基芯片完全不是對手。
所以，第三代半導體的興起，與近些年來新能源產業的快速發展密不可分，作為新能源產業所需的功率芯片有無可比擬的優勢。
雖然它起步于上世紀90年代，比硅基芯片的發展時間要短，但是其發展快，前景大。
發展至今，目前發展比較成熟的第三代半導體品類有兩種，分別是碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。
氮化鎵主要應用在手機充電器、衛星通信等民用領域和雷達等軍事領域。
而碳化硅主要應用于電動汽車、電力設備、新能源等民用領域和噴氣式發動機等軍用領域。
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