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所以領先
 
        
         
    
國內IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)品牌在新能源汽車、工業控制等核心領域的競爭格局及技術進展。
企業:比亞迪半導體(車規級龍頭)、斯達半導(工業級領先)、士蘭微(IDM模式代表)、時代電氣(軌交領域優勢)、宏微科技(中低壓市場)為國產前五品牌,合計市場份額超60%(2025年數據預測)。
技術突破:比亞迪半導體已實現車規級IGBT芯片全自主化,搭載于全系新能源車型;斯達半導8英寸晶圓產線量產,逼近英飛凌、安森美等國際一線水平。
政策驅動:國家“十四五”規劃將IGBT列為“卡脖子”技術,地方政府通過產業基金加速國產替代,2020-2025年中國IGBT市場規模年復合增長率達15%,新能源汽車占比27%(摩根斯坦利數據)。
高端市場依賴進口:英飛凌、三菱等國際廠商仍壟斷800V以上高壓IGBT市場,國產產品在薄片工藝、背面工藝良率上存在差距。
封裝環節瓶頸:鍵合線材料(銅線替代鋁線)、DBC基板(氮化鋁/氮化硅陶瓷)等關鍵材料依賴進口,制約散熱效率提升。
將IGBT芯片、二極管芯片通過焊接、鍵合等工藝集成于基板,形成具備電氣連接與散熱功能的模塊化產品的過程。
晶圓生產:8英寸晶圓為主流(占全球產能70%),12英寸產線逐步落地(士蘭微、中芯集成),大尺寸晶圓可降低單位成本30%以上。
芯片貼裝與焊接:
絲網印刷:將錫膏印刷于DBC基板,精度要求±5μm;
真空回流焊接:真空環境(≤5mbar)消除焊點空洞,空洞率需控制在5%以下(X-RAY檢測標準);
鍵合與清洗:
超聲波鍵合:鋁線/銅線連接芯片與DBC銅層,銅線鍵合可提升電流密度20%;
超聲波清洗:無水乙醇清洗焊后殘留,確保鍵合面潔凈度>99.5%;
封裝與測試:DBC與銅底板焊接→灌膠密封(硅膠導熱系數≥3.0W/m·K)→終測(包括耐壓、通流能力測試)。

散熱升級:氧化鋁陶瓷基板(傳統方案)逐步被氮化鋁(導熱率300W/m·K)、氮化硅替代,提升模塊功率密度50%(如比亞迪SiC模塊);
銀燒結工藝:Model 3采用銀燒結替代傳統焊接,散熱效率提升40%,成為車規級高端封裝主流。
國內IGBT產業在材料、設備、設計等環節的短板及國產化替代進展。
設備依賴進口:光刻機(ASML壟斷)、鍵合機(K&S、ASM)、真空焊接爐等核心設備國產化率<10%;
材料制約:氮化鋁陶瓷基板(日本京瓷占全球70%份額)、高純度硅片(信越化學、SUMCO)供應受限;
設計軟件:仿真工具(如SILVACO TCAD)依賴海外授權,自主EDA工具尚處驗證階段。
斯達半導:聯合中科院研發薄片工藝,將芯片厚度從120μm降至80μm,導通損耗降低15%;
天科合達:氮化鋁襯底量產,打破日本壟斷,成本降低40%。
不同領域對IGBT模塊性能的差異化要求及國產替代進度。
| 應用領域 | 技術要求 | 國產滲透率 | 代表企業 | 
| 新能源汽車 | 車規級可靠性(-40℃~150℃) | 35% | 比亞迪半導體 | 
| 工業變頻 | 高耐壓(1200V~1700V) | 45% | 斯達半導 | 
| 軌交 | 長壽命(>10萬小時) | 70% | 時代電氣 | 
| 家電 | 低成本(<$0.1/W) | 80% | 士蘭微 | 
車規級爆發:2025年國內新能源汽車IGBT需求將達200億顆,比亞迪、蔚來等車企加速導入國產芯片;
SiC替代威脅:比亞迪、特斯拉采用SiC MOSFET替代傳統IGBT,倒逼國產IGBT向高壓、高頻領域升級。
國產頭部格局已定:比亞迪、斯達半導等前五品牌主導市場,但高端芯片仍需進口;
封裝工藝是關鍵短板:銀燒結、氮化鋁基板等技術依賴進口設備,國產化率不足20%;
車規級替代加速:新能源汽車成為最大驅動力,2025年國產滲透率有望突破50%;
材料設備卡脖子:光刻機、陶瓷基板等“卡脖子”環節需5-8年突破周期;
SiC替代倒逼升級:寬禁帶半導體技術加速迭代,IGBT需向高壓(1700V+)、高頻方向演進以保持競爭力。
合明科技IGBT模塊芯片清洗劑選擇:
水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣,通電后發生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。
合明科技研發的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
合明科技運用自身原創的產品技術,滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術要求,打破國外廠商在行業中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國產自主提供強有力的支持。
推薦使用合明科技水基清洗劑產品。
 
                         
                         
                         
                        